Печь для обжига стоматологической керамики GUSROM GSF 10
GSF-10
GUSROM GSF 10 — компактная интеллектуальная печь для зуботехнических лабораторий, предназначенная для точной термической обработки стоматологической керамики.
Оборудование сочетает интеллектуальное регулирование температуры, удобное сенсорное управление и гибкие настройки программ обжига. Благодаря небольшим габаритам и массе всего 10,5 кг печь легко разместить даже в лаборатории с ограниченным рабочим пространством.
Ключевые преимущества:- Точность регулирования температуры ±0,5 °C по заявлению производителя.
- Максимальная температура нагрева 1200 °C.
- 30 программ для различных технологических процессов.
- Поддержка одноступенчатых и двухступенчатых температурных кривых.
- Регулируемые параметры вакуумного обжига.
- Цветной сенсорный дисплей диагональю 7 дюймов.
- Скорость нагрева до 110 °C/мин.
- Компактный термостойкий металлический корпус.
- Кварцевая нагревательная камера для равномерного распределения тепла.
Основные возможностиИнтеллектуальный контроль температуры. По заявлению производителя, алгоритмы AI поддерживают точность регулирования ±0,5 °C, снижая потребность в ручной корректировке температурного режима.
Одноступенчатые и двухступенчатые программы. Печь поддерживает различные профили нагрева, в том числе предназначенные для кристаллизации дисиликата лития.
Вакуумный обжиг. Предусмотрена регулировка параметров вакуума для работы со стоматологическими керамическими материалами.
Кварцевая нагревательная камера. Используется конструкция со спиральным нагревательным элементом и плотной намоткой проволоки, рассчитанная на равномерный нагрев.
Сенсорное управление. Семидюймовый цветной экран предназначен для настройки, выбора и контроля программ обжига.
Компактное исполнение. Масса печи составляет 10,5 кг, что упрощает её размещение в небольших зуботехнических лабораториях.
GUSROM GSF 10 подходит для современных зуботехнических лабораторий, которым необходима компактная печь с точным температурным управлением для обжига керамики, глазурования и кристаллизации совместимых материалов.